台積電 今明兩年在台猛蓋11座廠

俄烏戰爭及全球通膨影響終端需求,半導體生產鏈已進入庫存調整階段,但晶圓代工龍頭台積電仍然加快擴產腳步,在上周召開的技術論壇中指出,2022~2023年將在台興建11座12吋晶圓廠,並擴大竹南封測廠3DIC產能建置,主要是看到客戶端在7奈米及更先進製程的新晶片設計定案(New Tape-Outs,NTOs)大幅增加。

台積電今年資本支出400~440億美元創下新高,預期明年資本支出維持400億美元以上,去年啟動的3年大擴產計畫總投資金額將超過原訂的1,000億美元規模。台積電擴產主力仍以先進製程為主,2018~2022年的7奈米及更先進製程產能年複合成長率(CAGR)高達70%,且2022年5奈米產能已達2020年量產第一年的四倍。

為了解決車用及工控等晶片產能短缺問題,台積電今年投入高壓及電源管理IC、微機電及CMOS影像感測器、嵌入式快閃記憶體(eFlash)等特殊成熟製程擴產的資本支出,已達過去三年平均支出的3.5倍,不僅今年特殊成熟製程產能會較去年增加14%,占整體成熟製程比重亦將提升到63%。

 

由於俄烏戰爭及全球通膨導致終端需求轉弱,雖然車用及工控、伺服器等需求維持暢旺,但包括筆電及手機等消費性電子銷售明顯疲弱,半導體生產鏈近期開始進入庫存修正階段,市場法人已預期晶圓代工廠可能下修資本支出,但台積電仍在技術論壇釋出對市場樂觀看法,2022~2023年將在台灣興建11座12吋晶圓廠及1座3DIC先進封裝廠。

根據台積電技術論壇資料,位於南科Fab 18廠區的P5~P9廠等共5座12吋廠興建計畫已啟動,將成為3奈米主要生產重鎮。為2奈米量身打造的Fab 20廠區確定落腳竹科的寶山園區,包括P1~P3廠等共3座12吋廠會在明年前啟動建廠,P4廠預期2024年之後開始興建。

台積電高雄Fab 22廠區將興建P1~P2廠,支援28奈米及7奈米製程,投資建廠計畫如期進行,2024年量產預估不變。至於南科Fab 14廠區P8廠亦開始建廠,將支援特殊成熟製程。台積電持續看好5G及高效能運算(HPC)大趨勢,竹南AP6封裝廠將擴建以支援3DIC先進封裝需求。

新晶片案量突進

台積電除了決定今、明兩年在台灣興建11座晶圓廠,位於美國亞利桑那、中國南京、日本熊本等3座海外12吋晶圓廠已開始興建。市場法人擔心若下半年到明年市場需求低迷,台積電恐面臨產能過剩壓力,但台積電對此老神在在,因為新晶片設計定案(New Tape-Outs,NTOs)大幅增加,並會為明、後兩年的大幅成長增添新動能。

台積電在上周技術論壇中說明先進製程市場布局。以7奈米(N7)及同一世代的6奈米(N6)製程來說,自2017~2018年量產初期主要以智慧型手機晶片、中央處理器(CPU)、繪圖處理器(GPU)等應用為主,但到今年產品組合已擴展至人工智慧(AI)及高速網路、射頻元件、消費及車用晶片等,至今年底NTOs案量將超過400案。

台積電5奈米(N5)及同世代4奈米(N4)製程自2019~2020年開始量產,量產初期同樣是以智慧型手機、CPU/GPU等應用為主,但去年到今年已延伸至AI、擴增及虛擬實境(AR/VR)、高速網路、電競等領域,預期今年底NTOs案將倍增至超過150案。

台積電今年下半年3奈米N3製程將量產,明年下半年會推出優化後的N3E製程。台積電在技術論壇中指出,N3E製程提供支援智慧型手機及HPC兩大平台,與N5製程相較,在同一功耗上速度提升15~20%,在同一速度上功耗降低30~35%,邏輯電晶體密度達1.6倍,晶片密度約達1.3倍,明顯優於競爭對手,是業界最先進製程,可望吸引更多客戶開案。

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