中國長鑫存儲上市募資或達14萬億韓元 全球內存市場格局面臨重塑

全球第四大動態隨機存取存儲器企業中國長鑫存儲技術有限公司（CXMT），在上市前夕將發行價定爲每股8.66元人民幣（約合1900韓元）。長鑫存儲原計劃的募資規模爲295億元人民幣（約合6.5萬億韓元），但據此估算，實際募資規模預計將達到原計劃的2.3倍，即666億元人民幣（約合14.6萬億韓元）。

得益于大規模資金籌集，長鑫存儲用于存儲器技術研發的資金實力也將增強。有分析認爲，長鑫存儲可能由此強力撼動由三星電子、SK海力士、美光等全球存儲器三強長期把持的DRAM市場。

長鑫存儲大規模募資，DRAM市占率有望翻番

據業界15日消息，長鑫存儲計劃于本月27日在上海證券交易所上市。申購將從16日開始，預計募資規模爲14.6萬億韓元，在中國曆史上位居第二。根據長鑫存儲的招股說明書，通過首次公開募股（IPO）籌集的資金將優先用于正面臨全球性供應短缺的DRAM生産。長鑫存儲自評已在通用DRAM量産能力上具備競爭力，並表示將投入資金優化服務器用DRAM（DDR5）及移動端低功耗DRAM（LPDDR5X）的良品率，同時用于開發下壹代DRAM DDR6産品。

據此預計，長鑫存儲的晶圓産能到今年底將增至每月35萬片，到2030年將達60萬片，直逼全球第三大企業美光的每月38.5萬片。據市場調研機構集邦咨詢統計，長鑫存儲的全球DRAM市場占有率已從2025年第壹季度的4.1%快速上升至今年第壹季度的7.6%。

低廉的價格也是長鑫存儲的壹大競爭力。隨著存儲器供應緊缺導致DRAM價格快速飙升，尋找比全球三強産品便宜約5%至10%的長鑫存儲産品的客戶可能增多。據悉，蘋果公司近期已不顧美國對華制裁，開始測試長鑫存儲的芯片。

韓美中半導體大戰全面展開

業界預測，長鑫存儲將以此次融資爲契機，進而進軍下壹代高帶寬存儲器（HBM）市場。從長遠看，該公司可能投入開發利潤率高且爲人工智能數據中心核心部件的高帶寬存儲器。目前，長鑫存儲的技術水平仍停留在SK海力士2018年已成功量産的“HBM2”階段。但NH投資證券在15日發布的報告中指出：“僅憑此次大規模融資以及銷售帶來的現金流，就已足以構建起支持高帶寬存儲器技術開發與設備投資的結構。”

韓國、美國、中國之間的半導體主導權競爭預計將更趨激烈。三星電子和SK海力士已決定向湖南半導體集群共投入800萬億韓元。美光也公布了爲擴大産能而在美國投資2500億美元（約合372.4萬億韓元）的計劃。

這是基于人工智能數據中心需求爆發，存儲器供應緊缺局面至少將延續至2030年的判斷。全球最大半導體設備企業荷蘭阿斯麥爾公司（ASML）首席執行官（CEO）克裏斯托夫•富凱當天在發布第二季度業績時提到，持續的人工智能投資和技術進步正拉動尖端存儲芯片需求，使半導體産業增長前景更加堅實，半導體企業的産能擴張計劃也由此加速。

長鑫存儲產能即將接近美光 有望成全球第二大 DRAM 生產商

中國 DRAM 大廠長鑫存儲今年產能即將追平美光，加上多家廠商同步擴張，可能使中國未來幾年成為全球第二大 DRAM 生產基地，不過中方製造設備取得困難且面臨出口管制，這條路仍充滿變數。

根據 Citrini Research 預測模型，長鑫存儲（CXMT）今年將達每月約 35 萬片晶圓產能（WSPM），僅比美光少 2.5 萬片，而為緩解中國記憶體短缺問題，該國政府正打造 DRAM 生態系，積極推動長鑫存儲將技術轉移給其他 3 家國內廠商：Swaysure、晉華（JHICC）、XMC。

若上述廠商全數投產，中國 DRAM 總產能（不含三星、SK 海力士廠房）將達每月約 60 萬片，超越日本、台灣、美國三地合計產能，排名全球第二。到 2030 年，預測中國 DRAM 總產能擴大至每月約 141 萬片，光長鑫存儲計畫在北京、合肥、上海建設新廠，就可獨自擴產至每月 95 萬片。

但即使中國大幅擴產，大部分仍優先滿足內需，全球記憶體短缺問題近期難徹底解決。

中國擴產最大變數，取決於 DUV 光刻機能否到手。DUV 主要供應商為 ASML、Canon、Nikon，目前 3 家都無法快速擴增產量，加上美國 MATCH 法案限制，中國更可能寄望 2 家國內廠商 SMEE、SiCarrier 推出自有 DUV 平台。

就算這些設備成功開發，從量產出貨到實際對市場產生影響，恐怕也要到 2030 年代初才見成效。