中國首台EUV曝光機原型機正式出光 斥資400億美元建構自主半導體鏈路

據《路透》與相關調查指出，位於深圳一座由中央科技委員會管理的保密設施內，首台全國產化的極紫外光曝光機 (EUV) 原型機已成功啟動，並穩定產生 13.5 奈米波長的極紫外光。報導稱，此進展意味著中國已在 EUV 技術鏈路上，從光源、光學系統到真空腔體實現初步貫通。

相較於全球龍頭艾司摩爾 (ASML) 採用的 LPP(雷射激發電漿) 技術——即利用高功率雷射轟擊錫滴，中國研發團隊選擇了 LDP(雷射誘導放電電漿)10 倍以上，具備系統體積更小、功耗更低等優勢，有利於未來的規模化部署。

陸媒矽基 LIFE 報導稱，這項被外界稱為「北京曼哈頓計畫」的發展，背後有著龐大的資源支撐。

• 投資規模：由國家科技部牽頭，整合華為、哈工大、上海光機所、清華大學及中科院等機構，總投入金額估算達 370 億歐元 (約 400 億美元)。
• 專利技術：截至 2026 年 6 月，中國在 EUV 領域的專利申請量已累計超過 1200 件。
• 生產佈署：華為東莞基地預計於 2026 年第三季啟動 EUV 試驗性生產。

據報導，目前全球 7 奈米以下先進製程晶片均需依賴 EUV 技術，而 ASML 單台 EUV 設備售價約 1.5 億美元。根據數據顯示，2026 年全球 EUV 相關市場規模約為 259.3 億美元，目前台積電掌握全球約 56% 的 EUV 裝機量。

儘管中國已跨越光源門檻，但後續仍面臨極其嚴苛的挑戰，包括反射率要求極高的鉬 / 矽布拉格反射鏡、光阻劑靈敏度，以及光罩檢測等工程瓶頸。

然而，在 EUV 量產前，中國已透過浸潤式深紫外光曝光機 (DUV) 配合自對準四重圖形技術 (SAQP)5 奈米級晶片的規模化量產，為先進製程提供了備援路徑。

報導稱，若 LDP 技術路徑最終證明能提供更高的功耗效率，將可能對現有以 ASML 為首的供應鏈範式產生衝擊，並改變先進製程設備的市場稀缺紅利。